这篇文章小编将目录一览：
- 1、电压控制和电流控制区别
- 2、IGBT管是电压控制还是电流控制?
- 3、绝缘栅场效应管结构和符号
- 4、三极管和场效应管怎么区分?
- 5、绝缘栅场效应管的职业原理
电压控制和电流控制区别
、电压控制和电流控制的主要区别如下： 对控制源的要求不同： 电压控制：被控制电路主要要求控制源提供足够的电压，而对电流没有特定要求。由此可见，电压控制对控制源的输出功率没有独特要求。例如，绝缘栅场效应管的控制，只需给栅极加正向电压，即使电流几乎为零，也能实现控制。
、在实际电路中，电压控制和电流控制区别在于对控制源的要求不同。电压控制 被控制电路对控制源的要求有足够的电压，对电流没有要求，也就是说，对控制源的输出功率没有独特要求。如绝缘栅场效应管的控制，只要给栅极加正向电压，电流几乎为零。
、所谓电压控制型，就是器件职业时其输入端几乎不需要电流，只要输入电压发生变化，就能控制输出端的变化。同理，电流控制型的输入端是需要电流的。之因此会这样的区别，取决于器件的职业原理和电路结构。三极管职业原理是基极电流发生变化时，集电极和发射极电流会有相应倍数的变化，这样的器件就属于电流控制型。
、电压控制是通过反馈电压的大致来调节输出电压（电流不一定）。电流控制是通过反馈电流的大致来调节输出电流（电压不一定）的。区别就是输出电压（电流）和反馈电压（电流）成一定比较关系就是电压（电流）反馈。电功率控制是电压控制还是电流控制要看控制他们的元件是那一种了。
、电流源电流恒定，电压可变。电压源电压恒定，电流可变。至于电压控制还是电流控制看他的反馈是电压还是电流，但最终都可保持电流或电压恒定。
IGBT管是电压控制还是电流控制?
、IGBT本质是电压控制电流型器件，用作开关调制时，通过调整占空比来调整负载的电压。IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
、MOSFET和IGBT是电压控制器件，类似于场效应管，可通过栅极电压控制其导通和关断，开关速度高于GTO，由于MOSFET的耐压水平不能再继续进步，后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。
、在电磁炉中的驱动电压通常为18V，IGBT管是电压控制型元件，其开启电压一般大于15V。接通电源，不按任何键，IGBT管G极电压应小于0.5V，最好是小于0.3V，正常时约为0V。
、控制方式不同： SCR是通过电流来控制，IGBT通过电压来控制。SCR需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断。开关频率不同： SCR的开关时刻较长，因此频率不能太高，一般在3-5KHZ左右；IGBT的开关频率较高。IGBT模块可达30KHZ左右，IGBT单管开关频率更高，达50KHZ以上。
、MOS管与IDBT都是电压驱动元件。也就是栅极电压控制漏极或集电极电流。
、IGBT（绝缘栅双极晶体管）驱动方式主要是通过对其门极（Gate）进行电压控制，以实现其导通和截止。而驱动电路的设计主要要解决两个难题：即提供足够的驱动电压以迅速开关IGBT，并在控制信号和高压IGBT之间提供必要的电气隔离。
绝缘栅场效应管结构和符号
缘栅场效应管的结构主要由P型硅基底、N+区、二氧化硅绝缘层和三个电极组成，其符号表示了电流流动路线和电极连接。结构： P型硅基底：MOSFET的主体部分，为半导体材料。 N+区：高掺杂浓度的N型区域，作为源极和漏极，均匀分布在P型硅基底上。
缘栅的表示： 在场效应管的符号中，绝缘栅通常用一个带有箭头或线条的矩形框来表示，这个矩形框象征着栅极与导电通道之间的绝缘隔离。 源极和漏极的标识： 源极和漏极是场效应管的主要电流端，它们分别位于绝缘栅的两侧，通常用字母“S”和“D”来标识。
效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，因此又叫绝缘栅场效应管。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
P — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 gM — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。
OS场效应管，即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达10^15Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。
GBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 结温（符号：Tj）：元件连续职业时芯片温厦。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 关断电流（符号：ICES ）：栅极、发射极间短路，在集电极、发射极间加上指定的电压时的集电极电流。
三极管和场效应管怎么区分?
极管与场效应管的主要区别如下：职业原理不同 三极管：三极管是一种电流控制器件，其职业原理基于PN结的特性。它有三个电极——集电极c、发射极e和基极b。通过控制基极电流的变化，可以实现对集电极电流的大幅度控制，从而实现信号的放大。场效应管：场效应管则是一种电压控制器件。
极管：适用于需要电流放大和信号放大的电路。场效应管：更适用于电路的开关和逻辑功能，因其具有较高的输入阻抗和低噪声特性。聊了这么多，通过对比三极管和场效应管的职业原理、电流导电方式以及应用特性，可以明确区分这两种晶体管类型。在实际应用中，应根据电路的具体需求和功能特性选择合适的晶体管类型。
极管：在开关电路中，三极管的导通与截止转换时刻相对较长，且受基极电流影响较大。场效应管：开关速度快，特别适合高频电路，由于其栅极电压控制使得开关转换迅速且稳定。测量与识别：三极管：通常使用万用表测量基极、发射极和集电极之间的电压和电流关系来识别。
频开关三极管和场效应管的主要区分方式如下：职业原理 高频开关三极管：基于双极型晶体管的原理职业，通过控制基极电流来改变集电极和发射极之间的电流，从而实现开关或放大功能。在高频电路中，它能够快速响应输入信号的变化。场效应管：基于电场控制半导体中载流子运动的原理职业。
绝缘栅场效应管的职业原理
、职业原理：绝缘栅场效应管的职业原理基于栅极电压对“感应电荷”量的控制。以N沟道增强型MOS场效应管为例，栅极电压的变化会影响栅极与源极间导电沟道的状况，从而控制漏极电流的大致。导电沟道形成：在制造经过中，通过特定工艺在绝缘层中引入大量正离子，使得在绝缘层与源极间的界面一侧感应出较多负电荷。
、绝缘栅场效应管： 分类：包括N沟道型和P沟道型，进一步细分为增强型和耗尽型。 结构：由金属、氧化物和半导体构成。 职业原理：利用栅极电压UGS控制导电沟道的形成和宽度，从而控制漏极电流。耗尽型MOS管在栅压为零时有较大电流，而增强型则需要正的栅压才能导通。
、MOS管的职业原理是基于其独特的结构特性和电场效应来控制源极和漏极之间的电流流动。它主要由栅极、源极、漏极以及衬底组成，有时衬底与源极相连，形成三端器件。
、场效应管的职业原理是通过电压调控电流，其分类主要包括绝缘栅型场效应管和结型场效应管。职业原理： 场效应管是一种单极晶体管，由PN结构成。 在无偏压情形下，场效应管是导通的。 当在栅极和源极之间施加反向电压时，反向电场会使PN结区域变厚，沟道变窄，漏极电流随之减小。
、绝缘栅场效应管的导电机理是，利用UGS 控制感应电荷的几许来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流ID。若UGS=0时，源、漏之间不存在导电沟道的为增强型MOS管，UGS=0 时，漏、源之间存在导电沟道的为耗尽型MOS管。
、绝缘栅场效应管（MOS管）主要有N沟道型和P沟道型，分为增强型和耗尽型两种。 MOS管由金属、氧化物和半导体组成，因此也称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOSFET。
